我公司设备以碳化硅MOSFET管或大功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块作为核心主功率器件，搭配超微晶（亦称纳米晶）软磁合金材料及铁氧体材质的主变压器磁芯，构建起高效稳定的功率架构。控制系统搭载自主研发的主控IP技术，从底层逻辑保障设备运行的精准性与可靠性；结构设计上采用冷轧板基底加环氧树脂漆喷涂工艺，大幅提升设备外壳的抗氧化、抗酸碱腐蚀能力，有效延长整机使用寿命。历经多年生产实践打磨与客户反馈迭代，设备的整机设计更趋科学合理，性能表现持续优化升级，目前已在表面处理、国防军工、冶金、电力、电解、阳极氧化、电铸、电泳、单晶硅加热等众多领域实现广泛应用。在表面处理行业，其适配场景覆盖镀铬、镀铜、镀锌、镀镍、镀金、镀银、镀锡及各类合金电镀工艺，为不同需求的电镀作业提供稳定支撑。
相较于传统可控硅设备，本产品在降本增效方面优势显著：从电力消耗到原材料选用的全链条优化，帮助客户大幅降低生产成本；设备体积仅为可控硅设备的二分之一，重量同步减轻，更便于安装布局与空间利用；节能表现尤为突出，与可控硅设备相比，能耗降低15%以上，凭借低能耗、低污染的核心特质，被誉为名副其实的“绿色环保电源”。
技术参数 | |
输入电压 | 二相220V或三相380V 50HZ-60HZ |
稳压/流精度 | ≤0.5％ |
输出电压/电流 | 0-1000V/0-100000A |
额定效率 | ≥90％ |
功率因数 | 0.95 |
控制 | 触摸屏控制或表箱控制（远程/近程） |
电路 | IGBT/SIC碳化硅脉宽调制 |
冷却方式 | 连续强制风冷、水冷 |
环境温度 | 0℃-45℃ |
运行状况 | 满负荷24小时 |
控制接口 | 航空接口，PLC接口，工业标准信号接口 |
普通会员
